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ARM臺積電28nm A9芯片速度超越3GHz

發布時間:2012-5-8 來源:CNbeta 

  臺積電采用28納米制程生產的ARM CortexTM-A9測試芯片的處理速度超越3GHz;同時,臺積公司28納米高效能行動運算制程廣泛支持移動消 費及企業應用產品。臺積公司宣布,采用28納米高效能制程生產的ARM CortexTM-A9雙核心處理器測試芯片在常態下的處理速度高達 3.1GHz。

  臺積電系采用28納米高效能行動運算制程(28nm High Performance Mobile Computing, 28HPM)實現此成果,提供高速與低漏電的解決方案。配合各種設計最后驗證的要求,采用28納米高效能行動運算制程生產的ARM A9處理器適用范圍除了處理速度介于1.5GHz與2.0GHz之間的行動運算產品之外,并能支持高達3.1GHz的高效能運算產品。整體而言,28納米高效能行動運算制程擁有高效能、低功率及低漏電的優勢,可廣泛支持網通、平板計算機及消費性行動電子產品的應用。

ARM臺積電28nm A9芯片速度超越3GHz


  臺積公司研究發展副總經理侯永清表示,此顆高達3.1GHz的雙核心處理器系采用28納米高效能行動運算制程生產,在常態下,它的速度比40納米同等級制程處理器快上兩倍,這個結果具體證明了ARM公司與臺積公司能夠滿足高效能運算的市場需求,配合其它的產品設計,28納米高效能行動運算制程亦非常適用于各種強調效能且節能的產品。

  英商ARM公司處理器部門市場營銷副總裁Jim Nicholas表示,臺積公司28納米高效能行動運算制程能廣泛支持各項ARM先進處理器的產品,應用范圍從高頻率且具效能導向的行動運算產品延伸至要求低功耗的產品。

關鍵字:處理器、英商ARM、A9芯片

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